Косушкин
Косушкин Виктор Григорьевич
заведующий кафедрой
(профессор, доктор технических наук, член Британской ассоциации роста кристаллов)
 

Расположение кафедры:
г. Калуга, ул. Королёва, д. 39, корпус № 3, 4-й этаж, ауд. 425
Контактная информация:
Почтовый адрес 248000, г. Калуга, ул. Баженова, 2
Телефон (4842) 74-21-80
E-mail Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Обучение

Кафедра является выпускающей и готовит бакалавров и магистров по направлению подготовки 152200 - «Наноинженерия».

Профиль подготовки:

  • «Инженерные нанотехнологии в приборостроении»

Срок обучения: бакалавр - 4 года, магистр - 2 года.

Наноинженерия – новейшее направление инженерной деятельности, связанное с проектированием и производством материалов, приборов, механизмов и машин, содержащих структурные элементы размером порядка нанометра (одной миллиардной доли метра). Формирование направления «Наноинженерия» стало логическим следствием глубокого проникновения в закономерности строения и поведения материалов в течение двух последних десятилетий ХХ века. Были разработаны технологические приёмы и аналитические методики, позволяющие целенаправленно манипулировать малыми группами атомов и даже отдельными атомами, выстраивать их в заданную структуру. Эти уникальные, не существовавшие ранее, возможности привели к формулировке новой идеологии производства – создавать изделие не как скульптор, а как каменщик, то есть не методом отсечения лишнего от заготовки, а выкладывая его из атомно-молекулярных кирпичей. Такой подход позволяет резко повысить характеристики существующих изделий и открывает путь к созданию новых изделий на иных физических принципах. В направлении «Наноинженерия» выделены два главных профиля – «Инженерные нанотехнологии в приборостроении» и «Инженерные нанотехнологии в машиностроении».

Профиль «Инженерные нанотехнологии в приборостроении» логически развивает достижения микроэлектроники последних десятилетий. Размеры элементов интегральных схем и отдельных компонентов уже измеряются сотыми долями микрона, или десятками нанометров. Наноразмерные полупроводниковые структуры высокого качества формируются новыми технологиями – молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ), газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений(МОГФЭ). Для контроля качества таких структур созданы принципиально новые виды микроскопии - сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) и атомная силовая микроскопия (АСМ). Они дают возможность изучать рельеф атомных плоскостей с разрешением до одной десятой доли атомного диаметра! Эти технологии позволяют создавать структуры, в которых движение электрона частично или полностью ограничено – квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки. Созданные на таких структурах инжекционные лазеры обладают рекордными параметрами. Инфракрасные лазеры обеспечивают высококачественную волоконно-оптическую связь, а ультрафиолетовые – высокую плотность оптической записи информации. Разработаны одноэлектронные транзисторы и другие одноэлектронные устройства. Интенсивно исследуются возможности использовать для обработки и хранения информации другое фундаментальное свойство электрона – его спин. На наших глазах рождается новое научное направление - спинтроника.

Таким образом, инженерные нанотехнологии в приборостроении – это передний край современной науки и технологии, уже определяющий наше настоящее и в ещё большей степени - наше будущее.

Наряду с различными общими дисциплинами, изучаются специальные дисциплины:

  • Физические явления в вакууме и плазме – изучение физических явлений,протекающих в вакуумных и плазменных электронных приборах и технологических процессах;
  • Физика конденсированного состояния –изучение физических явлений в металлах и полупроводниках;
  • Материаловедение в наноинженерии – изучение принципов создания и производства наноструктурированных материалов;
  • Приборы и технологии наноэлектроники – изучение принципов работы, проектирования и производства современных электронных приборов;
  • Основы технологии наноэлектронной компонентной базы – изучение и разработка технологических процессов проиозводства наноэлектроники;
  • Основы лазерной и оптоэлектронной техники – изучение принципов разработки и производства светодиодов, лазеров и осветителей.

На кафедре работают:

  • 4 профессора: д.т.н. Косушкин Виктор Григорьевич (зав.каф.), д.т.н. Стрельченко Станислав Сергеевич (зам.зав.каф. по научной работе), д.т.н. Крапошин Валентин Сидорович, д.т.н. Шубин Николай Евгеньевич;
  • 8 доцентов: к.т.н. Адарчин Сергей Александрович (зам.зав.каф. по учебной работе), к.т.н. Карышева Екатерина Александровна, к.т.н. Московских Лидия Антиповна, к.т.н. Парамонов Виктор Васильевич, к.т.н. Зайончковский Вячеслав Станиславович, к.т.н. Герасимова Наталья Сергеевна, к.т.н. Михеев Николай Николаевич, к.т.н. Прохоров Игорь Алексеевич, к.т.н. Матвеев Александр Сергеевич.

Применяемые САПР

  • Компас;
  • OrCad;
  • Autocad.

Трудоустройство

Выпускники кафедры могут применить свои знания на предприятиях в следующих областях: разработка новых материалов с использованием нанотехнологий и электронных компонентов на их основе, разработка новых технологических процессов и установок для их осуществления, проектирование электронных схем на новейшей компонентной базе, математическое моделирование и контроль технологических процессов и др.

Выпускники работают на таких предприятиях, как ОАО «Восход-КРЛЗ», ОАО «Автоэлектроника», ФГУП «КЭМЗ», ФГУП «КЗТА», ОАО «Тайфун», концернах «ПСМА Рус», «Continental» и «Samsung», а также в различных НИИ и на других предприятиях.

 

История – XX век, эпоха материалов. Кафедра «Материаловедение » образована в составе КФ МГТУ в 1993 году для подготовки инженеров по специальности «Физика и технология материалов электронной техники». Формирование же этой новой для КФ МГТУ специальности началось ещё раньше, в 1989 году, в составе кафедры «Технология конструкционных материалов», когда был произведён первый набор студентов. С тех пор аббревиатура ФТМ закрепилась за специальностью на 20 лет.

Необходимость в таких специалистах возникла в связи со строительством на правом берегу Оки по Постановлению Правительства СССР крупного центра электронной промышленности, специализирующегося на разработке и производстве материалов для электроники.

Основателем и первым заведующим кафедрой был директор Всесоюзного Научно-исследовательского института материалов электронной техники (ВНИИМЭТ) доктор технических наук, профессор Виктор Владимирович Лебедев. Виктор Владимирович являлся крупным учёным и организатором науки и производства. Он один из отцов-основателей ВНИИМЭТ, стоявших у его истоков в 1964 году. По его инициативе в Калуге были развёрнуты исследования по технологии новых в то время полупроводников типа , разработаны и внедрены в производство технологии роста монокристаллов , , многослойных эпитаксиальных структур на основе , и других полупроводников. Эти работы велись в тесном сотрудничестве с институтами Академии Наук СССР (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ФИАН им. П.Н. Лебедева) и Министерства электронной промышленности СССР (НИИ «Полюс», НИИФизпроблем, НИИМВ). Результатом их стала разработка полупроводниковых гетеролазеров, светодиодов и чувствительных фотоприёмников военного и гражданского применения. Уровень этих разработок не уступал лучшим мировым образцам.

Становление кафедры пришлось на сложный период позднеперестроечного хаоса, распада СССР и болезненных экономических реформ. Однако сочетание Виктором Владимировичем руководства НИИМЭТ и кафедрой способствовало быстрому развитию её материального и интеллектуального потенциала. НИИМЭТ стал научно-технологической базой кафедры, на которой студенты могли практически освоить современные технологии производства электронных материалов и приобщиться к перспективным исследованиям и разработкам. Привлечение к преподаванию ведущих специалистов НИИМЭТ д.т.н., проф. С.С. Стрельченко, д.т.н., проф. В.Г. Косушкина, к.х.н., доц. В.В. Парамонова, к.ф.-м. н., доц. В.С. Зайончковского, к.т.н., доц. Ю.И. Кунакина обеспечило высокий теоретический уровень подготовки студентов. Это позволило выпускать в 1995-1997 гг. по 40-45 высококвалифицированных инженеров-технологов, и все они оказались востребованными на электронных предприятиях Калуги.

Настоящее – XXI век, эпоха микроэлектроники. Новый этап в развитии кафедры наступил на рубеже веков. Под руководством избранного в 2002 году заведующим кафедрой учёного с мировым именем доктора технических наук, профессора, члена Британской ассоциации роста кристаллов Виктора Григорьевича Косушкина началась адаптация кафедры к произошедшим изменениям в экономике страны. В связи с сокращением госзаказа на электронную технику возросла потребность в инициативных широко образованных инженерах-электронщиках, способных решать не только научно-технические, но и организационно-экономические задачи на производстве. Кафедра перешла на подготовку инженеров по специальности «Микроэлектроника и твёрдотельная электроника». Виктор Григорьевич взял курс на расширение и развитие, как перечня изучаемых дисциплин, так и направлений научных исследований. В учебный план были введены дисциплины «Микросхемотехника», «Автомобильная электроника», «Новые материалы», «Технология сборки электронных систем», «СВЧ-электроника». К преподаванию были привлечены крупные специалисты по материалам д.т.н., проф. В.С. Крапошин и д.х.н., проф. Н.Е Шубин. Большое внимание уделяется освоению студентами методов математического моделирования технологических процессов и приборов. В учебный процесс внедрены ролевые игры с целью развития навыков самостоятельного решения производственных задач. Поощряется участие студентов в научных исследованиях, в том числе в конкурсах инноваций УМНИК. Такой подход обеспечивает и в изменившихся условиях высокий уровень теоретической подготовки и практических навыков выпускников кафедры. Они не имеют проблем с трудоустройством и востребованы на предприятиях не только Калужской области, но и во многих крупнейших центрах электронной промышленности. Так, например, выпускник 2003 года Ярослав Табаков стал одним из ведущих специалистов ОАО «Светлана» в Санкт-Петербурге, выпускник 2005 года Максим Ладугин работает в ООО «Сигм-Плюс» (Москва), успешно защитил кандидатскую диссертацию по технологии лазеров на квантовых ямах, Леонид Никитин – главный технолог завода «Автэл» в Калуге.

Будущее – XXI век, эпоха наноинженерии. 2011 год открыл новую эпоху в истории кафедры. Стремительное развитие наук о материалах, электроники, информатики, приборостроения и метрологии подвело мир к очередной революции - нанотехнологической. Она, как ожидается, полностью изменит в предстоящие десятилетия технологический уклад. Основу его составят процессы сборки изделий из отдельных атомов и молекул, с использованием процессов самосборки и самоорганизации. Размеры изделий составят единицы нанометров, приблизившись к естественному физическому пределу – размеру атома. Этот подход позволит в перспективе решать инженерными методами задачи и проблемы не только в традиционных областях электроники, материаловедения, машиностроения, но и в биологии, медицине, агротехнологиях. Учитывая эти тенденции, кафедра в соответствии с Государственным образовательным стандартом 3-го поколения начала подготовку бакалавров и магистров по направлению «Наноинженерия». В рамках направления выделены два профиля – «Инженерные нанотехнологии в приборостроении» и «Инженерные нанотехнологии в машиностроении».

При подготовке бакалавров используется дуальная методология обучения – в университетских аудиториях и на реальном производстве. В университете студенты овладевают как общеобразовательными и общепрофессиональными дисциплинами – математикой, физикой, электротехникой инженерной графикой, иностранным языком, так и фундаментальными и прикладными специальными дисциплинами – прикладной наномеханикой, нанометрологией, квантовой электроникой, физикой вакуумных и плазменных процессов, физикой конденсированного состояния, электроникой, математическим моделированием. На производстве же предусматривается освоение реальных технологий на основе полученных теоретических знаний. Для реализации этой идеи кафедра становила партнёрские отношения с ведущими электронными предприятиями Калуги – КРЛЗ, КЭМЗ, «Автэл», «Континентал».

Бакалавры, проявившие склонность к исследовательской и конструкторской деятельности, могут продолжить образование в магистратуре.

Такая двухступенчатая система образования, ориентированная на передовые и перспективные технологии, гарантирует востребованность наших выпускников сегодня и их способность адаптироваться и ответить на вызовы будущего.

Уважаемые абитуриенты!

Мы будем рады видеть тебя в рядах наших студентов. Наша кафедра располагает высоко-квалифицированным преподавательским составом и успешно выпускает специалистов уже более 20 лет.

Кафедра является выпускающей и готовит бакалавров и магистров по направлению подготовки 152200 - «Наноинженерия».

Профиль подготовки: «Инженерные нанотехнологии в приборостроении»

Срок обучения: бакалавр - 4 года, магистр - 2 года.

Наноинженерия – новейшее направление инженерной деятельности, связанное с проектированием и производством материалов, приборов, механизмов и машин, содержащих структурные элементы размером порядка нанометра (одной миллиардной доли метра). Формирование направления «Наноинженерия» стало логическим следствием глубокого проникновения в закономерности строения и поведения материалов в течение двух последних десятилетий ХХ века. Были разработаны технологические приёмы и аналитические методики, позволяющие целенаправленно манипулировать малыми группами атомов и даже отдельными атомами, выстраивать их в заданную структуру. Эти уникальные, не существовавшие ранее, возможности привели к формулировке новой идеологии производства – создавать изделие не как скульптор, а как каменщик, то есть не методом отсечения лишнего от заготовки, а выкладывая его из атомно-молекулярных кирпичей. Такой подход позволяет резко повысить характеристики существующих изделий и открывает путь к созданию новых изделий на иных физических принципах. В направлении «Наноинженерия» выделены два главных профиля – «Инженерные нанотехнологии в приборостроении» и «Инженерные нанотехнологии в машиностроении».

Профиль «Инженерные нанотехнологии в приборостроении» логически развивает достижения микроэлектроники последних десятилетий. Размеры элементов интегральных схем и отдельных компонентов уже измеряются сотыми долями микрона, или десятками нанометров. Наноразмерные полупроводниковые структуры высокого качества формируются новыми технологиями – молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ), газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений(МОГФЭ). Для контроля качества таких структур созданы принципиально новые виды микроскопии - сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) и атомная силовая микроскопия (АСМ). Они дают возможность изучать рельеф атомных плоскостей с разрешением до одной десятой доли атомного диаметра! Эти технологии позволяют создавать структуры, в которых движение электрона частично или полностью ограничено – квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки. Созданные на таких структурах инжекционные лазеры обладают рекордными параметрами. Инфракрасные лазеры обеспечивают высококачественную волоконно-оптическую связь, а ультрафиолетовые – высокую плотность оптической записи информации. Разработаны одноэлектронные транзисторы и другие одноэлектронные устройства. Интенсивно исследуются возможности использовать для обработки и хранения информации другое фундаментальное свойство электрона – его спин. На наших глазах рождается новое научное направление - спинтроника. Не менее успешно работают физики и технологи с другим представителем наномира - фотоном. Разработаны технологии создания специальных периодических структур – фотонных кристаллов, которые позволяют эффективно управлять светом – его поглощением, испусканием, распространением, отражением.Таким образом, инженерные нанотехнологии в приборостроении – это передний край современной науки и технологии, уже определяющий наше настоящее и в ещё большей степени - наше будущее.

Трудоустройство

Выпускники нашей кафедры могут работать на ОАО "Восход" - КРЛЗ и других предприятиях, деятельность которых связана с производством микроэлектронных изделий.